北京信息科技大学电子科学与技术考研辅导培训班全国各号码:《今日汇总》北信科理学院电子科学与技术考研经验与复习注意事项
北京信息科技大学电子科学与技术考研经验与复习注意事项
考研政治方面:
连续呼唤肖四的名字,这绝对是必须要熟记的部分,我已经反反复复背了八次。因此在考试时,我能够游刃有余地作答,几乎复刻了xiao老师的题目解析。北京市的主观题评分较为严格,所以考生们不仅要确保选择题的错误率不超过十分,更要在主观题上依据xiao八和肖四来准备,尽量填满试卷,字迹工整,并注重条理清晰。例如采用总-分-总的结构,恰当使用过渡词汇。当初我和备考伙伴误以为肖老师的预测不够准确,转而投入mipeng资料的背诵,那段时间真是如痴如醉。然而,时间证明了一切,xiao老师才是关键,专心研究一份资料就足够了,因为考试内容大同小异。
考研数学方面:
数学是关键,对于每个备考数学的人来说,都应将主要时间投入其中。必须投入大量时间来理解概念和通过练习来巩固知识,要以解决问题的心态面对,因为并非每年的数学考试都如2017年那样简单。考虑到教育部在2016年和2018年设置的难度,我们不能排除再次出现类似情况的可能性。我没有选择张宇的教材进行复习,可能是因为觉得某些部分稍显困难,我选择了李永乐和王式安的全套书籍,还附带一本同步练习册和660题集。初次复习就围绕这些材料展开。
重点不在于做多少题,而在于质量。我在7月至10月间将全套书和习题集各看了一遍,每道题都做了两次,接着完成了同步练习册的所有题目。进入10月至11月,我专心攻克了660题中的选择题(尽管名为660题,实际上将近1000题),大约500题,它们设计得很精妙,我做了两遍。填空题部分我觉得较为繁琐,就没做,但我建议有能力的话还是完成,这对巩固基础很有帮助。到了11月至12月,我专注于2000年至2016年的考研真题,全部做完并深入研究错误题目。最后的几周,我购买了张宇的八套模拟卷,并做了最近两年的真题,以保持解题状态。
我个人认为,对我能力提升最大的阶段是在刷李永乐660题和历年真题时,那时我也找到了最适合自己的解题节奏。考研数学的题量相当大,共有9道大题。我按照顺序解答,这取决于个人习惯,但关键是建立并保持自己的解题节奏,切勿盲目跟从他人,考试中突然改变策略是不明智的。
考研英语方面:
目前阶段,建议大家启动考研词汇的学习,朱伟的《念念有词》是首选推荐,其次可考虑何凯文的长难句教程(个人仅体验过其长难句部分,适合作为入门)。大约在四月左右,我开始了备考,先后背诵了红宝书和恋恋有词。到了后期,单词复习便逐渐减少了。到六月份左右,你的词汇量应该已经相当可观,此时可以开始接触历年真题,首要任务是熟悉题型、解题顺序以及考试时间安排。通常的顺序是:大作文、小作文、大阅读、7选5填空、翻译,最后是完形填空(若时间紧迫,可以选择猜测答案)。六月起,你可以先尝试97年至03年的阅读理解,这些年的题目相对较易,并且包含五篇文章,与现行试题略有差异。每完成一篇文章都要深度剖析。接着,进入04年至16年的真题阅读理解训练,直到八月底,你可开始涉猎其他题型,但完形填空可酌情略过,翻译部分不必过于纠结(11、12、13年的难度异常,风格与当前考题不同,可暂时忽视)。九月份起,作文练习应提上日程,朱伟和王江涛的资料尤为出色,多读多写,务必保持字迹清晰工整!
考研专业课方面:
半导体物理是电子科学和技术的基础,理解其基本概念至关重要。半导体的基本性质,如导电性、能带理论、载流子类型(电子和空穴)等,是需牢牢掌握的基础知识。半导体中的PN结、MOS结构以及晶体管的工作原理也是考试的重点。这部分需深入理解,并能够灵活应用到实际问题中。
半导体材料的知识也非常重要。例如硅、锗等元素半导体,以及GaAs、InP等化合物半导体的特性,它们的禁带宽度、掺杂特性等,都是考试的常考点。理解和掌握不同类型杂质的掺杂效应,比如浅杂质和深杂质的区别,对解决复杂问题很有帮助。
再者,半导体器件部分,如二极管、BJT、MOSFET的工作原理和特性,包括I-V特性曲线的理解和分析,这些都需进行大量的练习。特别是MOSFET,它的阈值电压、沟道形成和击穿现象等,往往会在计算题中出现。
在学习方法上,我建议大家多做笔记,整理出清晰的概念图,这对理解和记忆非常有帮助。做题是提升解题能力的关键,尤其是历年真题,你熟悉考试的风格和难度。遇到不懂的问题,及时查阅资料或与同学讨论,加深理解。
实验部分也不能忽视,凭实验直观地理解半导体的性质和器件的工作状态,理论与实践相结合,会帮助你更好地掌握知识点。



