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界面新闻编辑 | 文姝琪
7月27日早间，国产DRAM（动态随机存取存储器）龙头长鑫科技（688825）正式登陆科创板。开盘涨幅一度达到471.59%，报49.5元/股，总市值突破3.31万亿元。这只募资规模创下科创板纪录的“芯片巨无霸”，以近乎狂热的姿态完成了资本市场首秀。
市场的狂热有其逻辑。散户申购环节，长鑫科技便创下212倍的超额认购纪录，有效申购数量高达940万笔。筹码紧张与情绪高涨相互叠加，股价翻倍几乎成为市场共识。
而就在七个月前，这家市值万亿的芯片巨头才刚刚站上IPO起跑线。
2025年12月30日，长鑫科技科创板IPO申请获上交所受理。得益于“预先审阅”机制，监管层面在正式受理前已完成大量沟通与核查工作。2026年5月27日，上市委会议审议通过；6月12日，证监会注册批文落地；7月27日，公司正式挂牌交易。从申报到注册通过仅用时165天，从受理到上市不足七个月，长鑫科技刷新了科创板大型IPO的最快纪录。
长鑫过去的故事，是一场逆周期豪赌的胜利。不过，目前长鑫在HBM（高带宽内存）等高端产品上与国际先进水平仍存在代差，DRAM价格持续大幅上涨是否具有可持续性，也仍需市场检验。
但当前的战略机遇期不会等人。成功上市后，长鑫将获得更多资本，用于支撑产能扩张、工艺迭代和人才引进，进一步推动国产存储产业做大做强。
打破铁幕的"逆周期豪赌"
长鑫的起点，是一场从专利废墟中捡筹码的赌局。
把这场赌局推上牌桌的关键人物，是朱一明。
朱一明毕业于清华大学，赴美后进入半导体行业，先后在网络处理器和存储芯片企业从事研发工作。2005年，他回国创办兆易创新，用十余年时间完成了从技术创业公司到上市芯片企业的跨越。
2018年，朱一明辞去兆易创新总经理职务，将主要精力转向长鑫，先后担任长鑫存储董事长、首席执行官及长鑫科技董事长。对他而言，长鑫不是从一种存储产品转向另一种存储产品，而是从轻资产的芯片设计跨入资金、技术和组织难度都高出数个量级的晶圆制造，是一次风险更高的“第二次创业”。
2016年，长鑫科技的前身在合肥注册成立时，全球DRAM市场已被三星、SK海力士和美光垄断超过二十年，三者合计占据95%以上的市场份额。长鑫团队以数亿美元收购了德国存储巨头奇梦达在2009年破产后留下的6200余项DRAM专利。这笔交易的核心目的不是直接获取技术，而是避开三星、海力士等企业构筑的专利壁垒，为后续研发争取法律空间。
与此同时，一批曾在海力士、美光、台积电任职的海外华人工程师被陆续召回，组成了长鑫最早的技术班底。
围绕朱一明，长鑫很快搭起了一支兼具产业管理、产品研发和晶圆厂运营经验的核心团队。2017年加入公司的曹堪宇拥有二十余年半导体从业经验，后来主导制定长鑫的研发战略与技术路线；同期加入的赵纶曾任大唐微电子总经理，熟悉国内大型半导体项目的产业化和组织管理。
此后，长鑫又持续吸收来自国际存储企业的技术骨干：李红文曾任美光上海设计部经理，陈德鸿长期任职于新加坡美光，王丹曾在三星电子担任高级工程师，朱文菊则曾在英特尔和美光多地子公司任职。这支团队覆盖芯片设计、制程研发、工厂运营和规模化量产，补上了国产DRAM从实验室走向生产线所需的关键能力。
在技术路线上，长鑫选择了行业罕见的“跳代”策略。2019年第一代产品量产时，长鑫跳过18nm制程，直接攻坚17nm，希望借此从DDR4（Double Data Rate 4，第四代双倍数据速率同步动态随机存储器）跨入DDR5时代。
在半导体行业，制程节点通常需要逐级推进，每一步都需要数年时间和数十亿美元投入。长鑫的冒险逻辑在于，按部就班意味着永远追不上国际龙头的节奏，而DDR5的市场窗口期不会等待后来者。
更大的赌注下在了产能上。
2022年至2023年，全球存储行业经历了近十五年来最严重的寒冬。三星2023年第一季度营业利润同比暴跌96%，降至2009年金融危机以来的最低水平；SK海力士创下公司历史上最大的季度亏损；美光2023财年净亏损58亿美元，裁员5000人，并暂停发放全员奖金。
NAND（与非型）闪存价格全年暴跌30%至40%，DRAM合约价连续八个季度下跌。三大原厂集体减产保价，行业库存一度升至相当于3至4个月供应量的历史高位。
但长鑫选择了反向操作。
在合肥国资、国家大基金二期的持续注资下，长鑫在2022年至2024年间逆势扩产，月产能从不足10万片提升至30万片。产品报价一度仅为海外竞品的一半。在巨大的成本压力下，这意味着每卖出一颗芯片都可能产生亏损。
招股书显示，长鑫2022年至2024年累计亏损超过300亿元，2024年单年净亏损达到71.45亿元。
“那时候，行业内很多人觉得我们是在自杀。”一位长鑫前员工向界面新闻回忆，“但现在回头看，那其实是战略机遇期。三星、海力士和美光都在把产能转向HBM，传统DRAM的供给在收缩，而AI和数据中心的需求正在爆发。这个缺口不填，就永远没有机会。”
事实证明，长鑫等到了自己的时间窗口。
战略机遇期
长鑫的算盘遵循了另一套逻辑：存储芯片是典型的强周期行业，“低谷期扩产、高峰期收割”正是三星在20世纪80年代逆袭日美企业的经典路径。
长鑫押注的是国产替代的政策与市场空间，也是周期反转带来的时间窗口。
这个判断正在得到市场验证，但窗口可能比想象中更窄。
2025年以来，全球DRAM行业发生了一场深刻的产能再分配。英伟达GPU对HBM的爆发式需求，让三大原厂看到了比传统DRAM高出数倍的利润空间。SK海力士率先将传统DRAM产线转向HBM，三星和美光随后跟进。
TrendForce数据显示，2025年至2026年，三大原厂用于HBM的晶圆投片量同比增长超过80%，而传统DRAM，包括DDR4和DDR5，产能增幅不足10%。
这意味着，传统DRAM市场的供给增长速度突然放缓。但需求并没有停止。AI服务器需要DDR5，国产PC和手机厂商需要LPDDR5，数据中心需要RDIMM。长鑫在2022年至2024年逆势建成的产能，恰好卡在了这一结构性供需缺口的拐点上。
第三方行业机构IC Insights的数据直观印证了这场逆袭。2025年第二季度，长鑫在全球DRAM市场的占有率仅为3.97%；到了第四季度，其市场占有率已上升至7.67%，进一步挤占国际厂商在部分传统DRAM市场的份额，稳居全球第四。
另一方面，国内政企服务器和互联网大厂算力基地的国产化替代政策正在加速落地。2026年7月，工信部、国家发改委等七部委联合印发《2026—2028年全国算力基础设施建设行动方案》，明确自2026年9月起实施。
“存储芯片的周期规律是，低谷期扩产、高峰期收割。”一位长鑫员工向界面新闻解释，“但长鑫的扩产不只是周期操作，还有一层国产替代的逻辑。三大厂转向HBM，客观上给长鑫让出了传统DRAM的市场空间。如果长鑫在2022年跟着减产，今天这个市场就是别人的。”
TrendForce数据显示，2025年第三季度，DRAM合约价环比上涨约40%，第四季度又上涨13%至18%。进入2026年，涨势进一步加快：第一季度DRAM合约价环比上涨90%至95%，第二季度又上涨58%至63%。
Counterpoint的报告则指出，2026年第一季度内存价格环比涨幅达到80%至90%，各类产品价格均创下历史新高。
长鑫的业绩也随着价格上涨而迅速增长。2025年，长鑫实现全年扭亏，净利润达到18.75亿元。2026年第一季度，公司实现营业收入508亿元，同比增长719.13%；净利润达到247.6亿元。
按出货量计算，长鑫已经成为中国第一、全球第四大DRAM厂商。长鑫招股书披露，公司已与腾讯、阿里云、字节跳动、联想、小米等行业核心客户开展合作。
在这场产能与市场份额的逆袭背后，长鑫的崛起不仅是一家企业的突围，也成为推动中国本土半导体供应链整体升级的重要支点。
在过去“缺芯少魂”的年代，国内存储厂商受限于自身规模，很难要求海外设备和材料巨头配合开展定制化研发。国产供应链也长期陷入“有产品、无产线验证”的死循环。
随着长鑫月产能从不足10万片提升至30万片以上，庞大的量产需求开始实质性反哺国内产业链。
在核心装备领域，长鑫等头部厂商的扩产，加快了国产设备的导入与迭代。
以先进架构3D NAND存储芯片制造中的关键“激光诱导结晶”工序为例，成都莱普科技联合国内龙头企业开发的激光热处理设备，已率先实现全球量产，打破海外企业的独家垄断，并有效支撑新一代存储产品量产。
在半导体精密零部件领域，中瓷电子等企业也在静电卡盘、陶瓷加热盘等核心产品上突破了材料与工艺瓶颈。相关产品的部分技术参数已达到国际同类产品水平，正在加快对海外产品的国产替代。
在基础材料和封装领域，国产产业链的协同效应同样开始显现。
珠海科隆科技等企业已经能够稳定生产多种高端湿电子化学品，其中部分产品达到G5级别，即金属离子杂质控制在万亿分之一级别。相关产品打破了海外企业长达数十年的垄断，并填补了华南地区半导体辅材产业的部分空白。
在先进封装领域，珠海天成先进半导体等企业正在攻坚2.5D、3D集成核心技术。公司构建了具有自主架构的“九重”技术体系，85%以上的核心设备实现国产化，为国产高端芯片提供了坚实的底层支撑。
当长鑫在制造端建立起不受制于人的产能后，其释放出的订单需求也开始向设备、材料、精密零部件和封装测试等环节传导，带动上下游专精特新企业实现集群式突破。
回过头看，长鑫科技选择在科创板上市，从申报到注册通过仅用时165天。这种“火速上市”本身也释放出一个清晰信号：当前的战略机遇期不会等人。
扩产招人，应对下一个战场
目前，长鑫的产能扩张版图正在加速铺开。
长鑫已经在合肥和北京形成12英寸DRAM晶圆制造的双基地布局。到2026年末，公司月度晶圆投片产能预计将突破30万片，产能规模约为国内第二梯队DRAM厂商的三倍以上。
截至2026年初，长鑫在合肥、北京拥有3座12英寸DRAM晶圆厂，月产能约为28万至30万片，产能利用率长期保持在95%以上。到2026年底，长鑫月产能预计将提升至约35万片，接近国际三大存储厂商之一美光的同期预估产能，后者约为38.5万片。
随着上海临港新厂的建设与推进，长鑫计划在2027年将月产能提升至约42万片，并在2028年底冲击月产50万片的目标。届时，其全球DRAM产能占比有望提升至17%左右。
长鑫的远期目标是实现每月60万片晶圆产能。按照当前扩张速度，公司有望在2030年前后于整体生产规模上超过美光。
在面向AI算力的高带宽内存领域，长鑫已实现HBM2量产。公司还计划调整合肥和北京产线的部分产能，形成每月6万片的HBM晶圆产能。上海超级工厂已于2026年3月启动建设，主要生产HBM3等高端内存产品。长鑫还计划在上海新建HBM封测厂，预计于2026年底投产。
行业机构预测，到2028年，长鑫的HBM晶圆月产能可能达到10万片，约占全球HBM产能的12%。
除了扩产，长鑫也在加速扩招。
6月底，界面新闻在探访合肥经开区长鑫科技园区周边的租房情况时发现，园区周边房租出现明显上涨。
“今年三四月的时候，房子特别便宜。那时候，两室一年的租金1.5万元就能租到。5月以后，租金一下子就涨上来了，现在一套房的年租金要2万多元。”租房中介高姐告诉界面新闻。
租房热的背后，是一条清晰的人才流动链条。
长鑫的产能正在从每月30万片向更高目标迈进，公司需要与之匹配的工程师队伍。
一位业内人士告诉界面新闻，一名12英寸晶圆产线的工艺整合工程师，从入职到能够独立负责一个模块，通常需要两至三年的培养周期。今天的招聘扩张，实际上是在为两年后的产能爬坡储备人才。
长鑫官网的2026届校园招聘页面显示，目前共有45个职位持续开放，工作地点覆盖合肥、北京、上海、西安，甚至包括日本。
岗位涵盖电路设计、工艺整合、半导体数据科学和AI应用开发等领域，多数岗位要求应聘者具有硕士及以上学历。
长鑫的扩招也直接撬动了外资存储厂商的人才池。此前，由于国内没有同等规模的DRAM厂商，海力士无锡工厂和三星西安工厂的工程师在离职后，往往只能转向芯片设计行业，或者进入晶圆代工厂。
长鑫的崛起改变了这一格局。2025年以来，从海力士无锡工厂转投长鑫的工程师明显增多。
一名三星电子中国区员工告诉界面新闻：“这几年，不少同事跳槽时的首选都是长鑫，很多人还拿到了期权。今年长鑫宣布上市后，又有一批人去了。”
招股书显示，2023年、2024年和2025年末，长鑫科技在职员工人数分别为9605人、13858人和19298人。两年间，公司员工数量翻了一倍。
招股书还显示，合肥国资通过清辉集电、合肥集鑫等平台合计持股约30%，是除国家大基金二期外最核心的战略出资方。
随着长鑫登陆科创板并迎来价值重估，合肥国资平台所持股份的账面价值较初始投资增长超过一个数量级。
这笔投资回报的实质，是一座城市以国有资本为杠杆，押注国家战略产业，并最终在行业超级周期中获得回报的典型样本。
比财务回报更重要的是，当长鑫的晶圆厂在合肥和北京满负荷运转时，中国第一次在一个被三大国际厂商垄断了三十年的核心半导体领域，拥有了不受制于人的产能。
然而，上市钟声的敲响并非终局。长鑫面临的挑战依然严峻。
存储芯片是强周期行业，“涨价—扩产—过剩—跌价”的剧本已经多次上演。
市场目前对本轮存储芯片周期拐点存在明显分歧。高盛、美银、瑞银等机构认为，本轮超级周期可能延续至2027年至2028年。
其中，高盛从供需缺口的量化维度判断，2026年全球DRAM供需缺口将达到4.9%，HBM供需缺口将达到5.1%，均为2011年以来的最高水平。高盛认为，涨价趋势将延续至2028年，2027年的存储芯片供应甚至可能比2026年更加紧张，真正的产能释放拐点将在2028年到来。
彭博分析师则认为，存储芯片短缺将在2027年第一季度大幅缓解，并可能最早于2028年出现供应过剩。如果大型云服务厂商削减资本开支，供过于求甚至可能提前至2027年出现。
对于长鑫而言，关键是在一至两年的窗口期内完成上市融资并迅速扩产，夯实规模、技术和客户黏性。否则，当海外产能重新回流、价格战再次启动时，没有规模就意味着没有足够的生存空间。
长鑫的固定资产账面价值高达1830亿元，每年折旧费用超过百亿元。一旦产品价格进入下行周期，公司利润表将承受巨大压力。
技术层面，尽管长鑫已经在DDR5领域实现量产并持续追赶，但在面向AI算力的HBM领域，公司与SK海力士、三星之间仍然存在代差。
HBM是下一个战场，也是长鑫必须攻克的堡垒，但机遇同样明确。
国内算力基础设施的国产化替代正在加速推进。上市募集的近600亿元资金，长鑫将主要投向HBM产线建设和先进工艺研发。这笔资金既是巩固传统DRAM市场的弹药，也是长鑫向高端市场发起冲击的门票。
从专利废墟到科创板，长鑫走了十年。但今天的上市钟声，只是其征程中途的一个逗号。