投资超40亿美元！SK海力士美国HBM工厂奠基：2029年量产美制HBM

快科技 8 月 28 日消息，SK 海力士宣布，当地时间 8 月 27 日在美国印第安纳州西拉斐特举行 AI 存储器先进封装生产基地奠基仪式。

这是 SK 海力士在美国的首个 HBM 生产据点，印第安纳州州长、参议员、普渡大学校长以及 SK 海力士 CEO 郭鲁正等高管出席本次活动。

SK 海力士 CEO 郭鲁正

该项目总投资超过 40 亿美元，工厂无尘室计划 2028 年 10 月建设完工，2029 年下半年实现新一代 HBM 产品量产，全面投用之后基地直接员工规模将达到 1000 人以上。

生产模式采用韩美联动，芯片晶圆在韩国完成制造，运抵美国工厂完成先进封装与测试，产出 " 美国制造 "HBM，直接供给美国本土客户。

基地还同步建设先进封装研发测试平台，方便联合客户、合作伙伴完成新技术原型试制与性能验证。

产业链生态方面，目前已有超过 100 家材料、零部件、设备合作伙伴洽谈入驻园区，项目落地预计合计创造 7000 个直接与间接就业岗位，夯实美国本地 AI 存储产业链。

奠基仪式现场，SK 海力士与普渡大学签署研发合作谅解备忘录，双方将联合攻关 HBM 以及下一代系统集成、先进封装技术，后续还会扩大和美国中西部高校合作，挖掘半导体专业人才。

SK 海力士 CEO 郭鲁正表示，希望在美国汇聚客户、研发资源与产业生态，成为最值得信赖的半导体合作伙伴。

HBM 作为 AI 算力的核心存储组件，海外本土封装基地建成，将进一步完善 SK 海力士面向北美 AI 市场的供货能力。

【本文结束】如需转载请务必注明出处：快科技

责任编辑：建嘉